Ano ang semiconductor

Ang lahat ng mga materyales na may dalawang katangian sa itaas ay maaaring maiuri sa saklaw ng mga materyales ng semiconductor. Ang sumasalamin sa mga intrinsic na pangunahing katangian ng semiconductors ay ang mga pisikal na epekto at phenomena na dulot ng iba't ibang panlabas na salik tulad ng liwanag, init, magnetism, kuryente, atbp. na kumikilos sa mga semiconductor, na maaaring sama-samang tinutukoy bilang mga katangian ng semiconductor ng mga semiconductor na materyales. Karamihan sa mga batayang materyales ng solid-state na elektronikong aparato ay mga semiconductor. Ito ay ang iba't ibang mga katangian ng semiconductor ng mga materyal na semiconductor na nagbibigay ng iba't ibang uri ng mga aparatong semiconductor ng iba't ibang mga function at katangian. Ang pangunahing kemikal na katangian ng semiconductors ay ang pagkakaroon ng saturated covalent bond sa pagitan ng mga atomo. Bilang isang tipikal na tampok na covalent bond, ito ay tetrahedral sa lattice structure, kaya ang tipikal na semiconductor na materyales ay may diyamante o zinc blende (ZnS) na istraktura. Dahil karamihan sa mga yamang mineral ng daigdig ay mga compound, ang mga semiconductor na materyales na unang ginamit ay mga compound. Halimbawa, ang galena (PBS) ay ginamit para sa radio detection matagal na ang nakalipas, ang cuprous oxide (Cu2O) ay ginamit bilang solid rectifier, ang sphalerite (ZnS) ay isang kilalang solid luminescent material, at ang rectification at detection function ng silicon carbide ( SIC) ay ginamit din nang maaga. Ang Selenium (SE) ay ang unang natuklasan at ginamit na elementong semiconductor, na dating mahalagang materyal para sa mga solid-state rectifier at photocell. Ang pagtuklas ng elementong semiconductor germanium (GE) amplification ay nagbukas ng bagong pahina sa kasaysayan ng mga semiconductors, kung saan ang mga elektronikong device ay nagsimulang magkaroon ng transistorization. Ang pananaliksik at paggawa ng mga semiconductor sa China ay nagsimula sa unang paghahanda ng germanium na may mataas na kadalisayan (99.999999% - 99.999999%) noong 1957. Ang pag-ampon ng elemental semiconductor silicon (SI) ay hindi lamang nagpapataas ng mga uri at uri ng transistor at nagpapabuti sa kanilang pagganap , ngunit nag-uumpisa rin sa panahon ng malakihan at napakalaking integrated circuit. Ang pagtuklas ng ⅲ - ⅴ compound na kinakatawan ng gallium arsenide (GaAs) ay nagsulong ng mabilis na pag-unlad ng mga microwave device at optoelectronic na aparato.